삼성전자, '3D-TSV기술' 적용 32GB D램 모듈 개발

삼성전자는 '3D-TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통전극)' 기술을 적용한 초고속 엔터프라이즈 서버용 32GB(기가바이트) D램 모듈을 업계 최초로 개발했다고 17일 밝혔다.

'3D-TSV' 기술은 수십㎛ 두께로 얇게 만든 실리콘칩에 직접 구멍을 뚫고 동일한 칩을 수직으로 쌓아 관통 전극으로 연결하는 패키징 기법으로 속도와 용량 등 반도체 성능을 향상시킬 수 있다고 회사 측은 설명했다.

삼성전자 관계자는 "기존 제품을 탑재한 서버는 속도가 800메가비피에스(Mbps)인데 반해 이번에 개발한 모듈을 탑재한 서버는 이보다 67% 빠른 1333Mbps까지 고속 동작을 구현할 수 있다"고 말했다.

소비전력도 대용량 서버에 사용되는 30나노급 32GB LRDIMM 보다 30% 이상 낮은 시간당 4.5W로, 현재까지 나온 엔터프라이즈 서버용 D램 모듈 제품 중 가장 낮은 수준이라고 밝혔다.

홍완훈 삼성전자 DS사업총괄 메모리사업부 부사장은 "이번 모듈 제품은 차세대 대용량 서버에 필수 요소인 고성능·저전력 특성을 모두 갖추고 있다"며 "앞으로 성능을 더욱 높인 대용량 메모리 공급으로 시장을 공략해 나갈 것"이라고 말했다.

한경닷컴 김동훈 기자 dhk@hankyung.com