SK하이닉스, 2세대 10나노 D램 개발

1세대 제품보다 생산성 20%↑
내년 1분기께 양산 계획

SK하이닉스가 글로벌 반도체업계 최고 수준의 효율과 생산성을 갖춘 2세대 10나노급(1y) D램(사진)을 개발했다.

SK하이닉스는 12일 2세대 10나노급 미세공정을 적용한 8기가비트(Gb) DDR4 D램을 개발했다고 발표했다. 1세대 D램(1x) 대비 생산성은 20%가량 향상됐고 전력 소비는 15% 이상 줄였다. 글로벌 반도체 업체 중 2세대 10나노급 D램을 개발한 것은 삼성전자에 이어 두 번째다. 삼성전자와의 기술격차도 1년 이내로 좁혀졌다. D램 가격 하락 압력과 중국 반도체 업체들의 D램 반도체 시장 진입 우려에도 국내 업체들이 기술 혁신으로 시장을 선도하고 있다는 평가가 나온다. 제품 양산은 내년 1분기로 예상된다.

SK하이닉스가 개발한 2세대 10나노급 D램은 데이터 전송 속도 향상을 위해 ‘4페이스 클로킹’이라는 기술을 적용했다. 데이터 전송 시 주고받는 신호를 기존보다 두 배로 늘려 제품의 동작 속도와 안정성을 높였다.

D램에서는 공정이 미세화될수록 트랜지스터 크기가 줄어 데이터 감지 오류 발생 가능성이 높아진다. SK하이닉스는 이 같은 문제를 극복하기 위해 트랜지스터 구조를 개선해 오류 발생 확률을 낮췄다. 김석 D램 마케팅담당 상무는 “2세대 10나노급 DDR4는 소비자가 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품으로 내년 1분기부터 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응하겠다”고 말했다.

좌동욱 기자 leftking@hankyung.com