경기도, 초고속통신용 시스템반도체 소재 국산화 연구 지원

경기도는 시스템 반도체 소재 국산화를 위해 2022년까지 3년간 30억원을 투입해 한국나노기술원과 함께 '시스템 반도체 국산화 연구지원 사업'을 추진할 계획이라고 24일 밝혔다.

도는 이번 사업을 통해 도는 초고속통신에 사용되는 인듐갈륨비소(InGaAs) 에피웨이퍼와 이를 이용한 초고속 통신소자(HEMT)를 개발할 계획이다.

인듐갈륨비소 에피웨이퍼는 갈륨비소, 실리콘웨이퍼 등의 표면에 별도 화합물 반도체층을 성장시킨 것으로, 현재 사용되는 실리콘 웨이퍼보다 다양한 기능과 성능을 구현할 수 있는 시스템 반도체 소재다.

5G, 사물인터넷(IoT), 자율자동차 등 4차 산업혁명 실현을 위한 핵심부품 제작에 사용되는 소재인 만큼 수요가 갈수록 증가할 것으로 예상된다.

그러나 많은 개발비용과 연구인력, 인프라 등으로 중소기업 차원의 개발이 어려워 미국, 일본 등 해외 수입에 의존하고 있다.

도는 이번 개발 지원을 통해 나온 성과를 중소기업과 대학, 연구소에 제공해 시스템반도체 소재 독립 및 중소기업 매출 증대를 도모할 방침이다.

최병길 경기도 과학기술과장은 "해외 의존도가 높은 부품·소재의 국산화 연구 사업을 지속해서 발굴해 부품·소재 국산화와 중소기업 발전을 지원할 것"이라고 말했다.

/연합뉴스