3세대 10나노급 D램 개발…SK하이닉스 "전력소비 40%↓"

이석희 사장 "기술로 불황 돌파"
단일칩 최대 용량 16Gb 구현

“경기가 어려워질수록 기술 개발에 집중해 좋은 품질의 제품을 선보여야 합니다.”

이석희 SK하이닉스 사장(사진)은 최근 직원들에게 ‘기본기’의 중요성을 강조하고 있다. 기술력을 탄탄히 해 외부 변수에 흔들리지 않아야 경기회복기에 더 강하게 치고 나갈 수 있다는 판단에서다. 지난해 12월 이 사장 취임 후 SK하이닉스가 업계 최고 수준의 신제품을 지속적으로 개발해 시장에 내놓는 이유다.

SK하이닉스는 21일 3세대 10나노급(1z) 16Gb(기가비트) DDR4 D램을 개발했다고 발표했다. 지난해 11월 선보인 2세대 10나노급(1y) DDR4 D램보다 용량이 크고 전력 효율이 높다. 1z, 1y 등 D램 모델 이름 앞에 붙는 ‘1’의 의미는 반도체 선폭(회로의 폭)이 10나노미터(㎚·1nm=10억분의 1m)대라는 것이다. 숫자 뒤에 나오는 소문자는 미세화 정도를 뜻한다. z가 붙은 제품은 y 제품보다 한 단계 진화한 미세공정에서 제작했다는 의미를 담고 있다. 공정이 미세화할수록 웨이퍼 한 장에서 나오는 칩이 많아져 생산성이 높아진다. SK하이닉스 관계자는 “웨이퍼 한 장의 생산성(메모리 용량)이 1y 제품보다 약 27% 향상됐다”고 말했다.

단일칩의 용량도 업계 최대인 16Gb다. 업무용 컴퓨터 한 대에 들어가는 8GB(기가바이트)의 모듈을 만들 때, 8Gb D램은 8개가 필요하지만 16Gb D램은 4개만 넣어도 돼 전력 소비가 약 40% 감소한다. SK하이닉스는 1z DDR4 D램을 내년부터 고객사에 공급할 계획이다.

황정수 기자 hjs@hankyung.com