KAIST, 인텔 반도체 4배 용량 메모리 개발

읽기·쓰기 속도 110% 높이고
에너지 소모량 45% 줄여

KAIST 연구진이 인텔 제품보다 용량이 크고 성능이 높은 영구메모리 기술을 개발했다.

KAIST는 정명수 전기및전자공학부 교수 연구팀이 비휘발성 메모리와 초저지연 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 하나의 메모리로 통합하는 메모리오버스토리지(MoS) 기술을 개발하는 데 성공했다고 16일 밝혔다.

영구메모리는 전원이 꺼져도 데이터를 보존하는 메모리다. 용량과 성능을 높이는 미래 영구메모리 기술 개발은 인텔 등 소수 글로벌 기업이 주도하고 있다. 정 교수 연구팀은 인텔의 영구메모리 제품인 ‘옵테인’ 대비 메모리 슬롯당 네 배 이상의 저장 용량(테라바이트(TB)급)을 제공한다. 에너지 소모량은 45% 줄였고, 데이터 읽기·쓰기 속도를 110% 높였다.

비휘발성 메모리는 속도가 빠르지만 대용량 데이터를 처리할 수 없다는 게 문제였다. 대안으로 인텔 옵테인 등이 주목받았다. 그러나 옵테인에서는 비휘발성 메모리에 접근할 때마다 OS의 도움이 필요해 비휘발성 메모리를 단독으로 쓸 때보다 읽기·쓰기 속도가 50% 수준으로 떨어진다는 한계가 있었다.

MoS 기술은 초저지연 SSD를 주 메모리로 활용하고, 비휘발성 메모리를 캐시메모리로 활용한다. OS가 아니라 하드웨어가 SSD 입출력을 직접 처리한다. SSD의 큰 저장 공간을 메모리로 활용할 수 있고, 속도도 크게 높아진다. 미래 영구 메모리 기술이 지니는 한계를 대폭 개선했다는 평가다.

이 기술은 대용량 메모리가 필요하고, 정전으로 인한 시스템 장애에 민감한 데이터센터, 슈퍼컴퓨터 등에 활용될 것으로 기대된다.

최한종 기자 onebell@hankyung.com