D램 30년·낸드 20년째 1위…삼성 "V낸드 1000단 시대 우리가 연다"

반도체 위기론 속 격차 유지
삼성, D램 점유율 41.7% 압도적
플래시메모리도 글로벌 선두 유지
2분기 영업익 10조4000억 전망

송재혁 부사장 뉴스룸 기고
"V낸드 미세화 공정 기술 확보
높이의 한계 넘는다" 자신감 표현

전 세계 반도체 기업 간 경쟁 격화로 삼성전자 위기론이 최근 불거졌지만 메모리반도체 시장에서 삼성전자의 지위는 여전히 굳건한 것으로 나타났다. 삼성전자가 올해로 D램 시장 1위를 30년째 지키고 있는 것으로 집계됐다. 플래시메모리 시장에선 20년째 1위다. 경쟁 기업의 견제와 추격 속에서도 메모리반도체 부문에서 초격차를 유지하고 있다는 평가다.

SSD로 메모리반도체 영토 확장

ZNS기술을 적용한 기업 서버용 SSD.

8일 업계에 따르면 삼성전자는 1분기 D램 시장 점유율 40%를 넘긴 것으로 알려졌다. 올해 이 기세대로 간다면 1992년 세계 시장에서 1위를 기록한 뒤 30년 연속 1위를 수성한다. 삼성전자는 플래시메모리 분야에서도 1분기 33.5% 점유율로 1위를 기록했다. 2002년 이 분야 선두에 오른 뒤 20년째 1위 자리를 굳게 다지고 있다.

시장조사업체 옴디아에 따르면 삼성전자의 지난해 연간 D램 시장 점유율은 41.7%다. 업계에선 올해도 비슷한 수준의 점유율을 유지하고 있는 것으로 추정하고 있다. 2위인 SK하이닉스(약 30%)와 3위 마이크론(약 23%)을 압도적으로 넘어선 수치다.

삼성전자는 특히 정통 강자로 자리매김한 D램 시장뿐 아니라 플래시메모리 시장에서도 1위를 지키고 있다. 플래시메모리 시장의 대부분을 차지하는 낸드플래시, 그 가운데 특히 스테이트솔리드드라이브(SSD) 부문에서 독보적인 1위다. SSD는 낸드플래시를 활용해 정보를 저장하는 장치다. 삼성전자는 세계 최초로 SSD를 상용화해 새로운 시장을 개척했다는 평가를 받는다.

삼성전자는 SSD 시장 점유율 33.3%로 1위를 차지하고 있다. 2위 인텔 점유율 16.7%의 약 두 배다. 특히 올해 삼성전자는 데이터센터용 SSD 라인업을 대폭 강화하고 있다. 최근엔 ZNS(zoned namespace) 기술을 적용한 기업 서버용 SSD(사진)를 출시했다. 용도와 사용 빈도별로 SSD 내 각각 다른 공간에 데이터를 저장해 관리 효율을 높였다. 삼성전자가 미래 데이터센터 시장 선점을 위해 출시한 제품이다.

삼성, V낸드 미세화 주도

삼성전자는 최근 V낸드 미세화 공정에 공을 들이고 있다. V(vertical) 낸드란 종전까지 수평 구조로 만들던 2차원 셀을 3차원 수직 구조로 쌓아 올려 평면 구조에 비해 집적도를 획기적으로 높인 기술이다. 삼성전자가 처음으로 개발했다.

삼성전자의 플래시 개발실장 송재혁 부사장은 이날 삼성전자 뉴스룸 기고문에서 “낸드플래시도 언젠가는 높이의 한계를 마주할 것”이라며 “삼성전자는 업계 최소 셀사이즈를 구현한 ‘3차원 스켈링(3D scaling)’ 기술로 가장 먼저 높이의 한계를 극복하는 회사가 될 것”이라고 말혔다. 이어 “삼성의 목표는 낸드플래시를 1000단까지 쌓는 것”이라고 강조했다.

송 부사장은 V낸드의 단수 경쟁이 치열해지면서 똑같은 단수여도 높이를 최대한 낮게 쌓아 크기를 줄이는 것이 핵심 경쟁력이 됐다고 설명했다. 삼성전자가 올 하반기 출시할 7세대 V낸드는 3차원 스켈링 기술로 체적을 최대 35%까지 줄였다. 마이크론 등 다른 경쟁 업체의 6세대 낸드와 비슷한 크기다. 똑같은 176단 낸드라도 삼성전자 제품의 크기가 더 작다는 의미다.

시장에선 삼성전자가 이 같은 반도체 부문 성과로 올 2분기 영업이익이 10조4000억원을 넘을 것으로 예상하고 있다. 일각에선 이어지는 펜트업(보복)소비와 반도체 슈퍼사이클(장기 호황) 진입 등으로 11조원을 달성할 것으로 기대하기도 한다.

파운드리·시스템반도체 숙제 여전

삼성전자도 골칫거리가 있다. 여전히 점유율 3~4%에 머물러 있는 시스템반도체다. 파운드리(반도체 수탁생산) 시장도 공략이 만만찮다. 지난해 세계 파운드리 점유율은 TSMC가 54%, 삼성전자가 17%로 나타났다. 2019년 1분기 19%대 점유율을 찍은 이후 좀처럼 치고 올라가지 못하는 모양새다.

삼성전자는 2030년까지 시스템반도체에 171조원을 투자해 글로벌 1위로 도약하겠다는 ‘시스템반도체 2030’ 전략을 내놓은 상태다. 또 지난달 한·미 정상회담에서 약 20조원 규모의 파운드리 투자도 공식화했다. 하지만 경쟁자들의 공세가 거세다. TSMC는 향후 3년간 1000억달러(약 110조원)를 반도체 생산 능력 확대에 투자할 계획이다. 업계 관계자는 “삼성전자는 메모리반도체 1위를 수성하고, 시스템반도체 시장 점유율을 꾸준히 확대해야 한다”며 “투자액을 더 당겨 단기간에 집중적으로 쏟아붓는 방법도 고민해야 한다”고 말했다.

메모리 분야 기술 격차를 유지하는 것도 삼성전자의 과제 중 하나다. 최근 미국 반도체 기업 마이크론이 D램 가운데서는 회로 선폭이 가장 좁은 것으로 알려진 10㎚(나노미터·1㎚는 10억분의 1m)급 4세대 D램 양산을 공식화하는 등 경쟁 업체의 도전이 점점 거세지고 있다.

박신영 기자 nyusos@hankyung.com