SK하이닉스, 저전력 D램·낸드 투 트랙으로 ESG 경영 가속페달

지난해 하반기 경기 이천에 준공된 SK하이닉스의 M16팹 전경. /SK하이닉스 제공

“기술로 인류 삶의 질을 높이고 환경 문제 해결에 앞장서는 그레이트 컴퍼니(Great Company)를 지향한다.”

이석희 SK하이닉스 사장이 지난해 10월 SK그룹 최고경영자(CEO) 세미나에서 밝힌 회사의 중장기 비전이다. 이 꿈엔 SK그룹과 SK하이닉스가 힘써온 경제적 가치(EV)와 사회적 가치(SV)가 모두 담겨 있다. 인류 삶의 질을 높이는 첨단기술을 개발해 회사의 EV를 높이고, 동시에 기술을 기반으로 한 환경 문제 해결 등 SV를 만들어 가겠다는 의미다.

SK하이닉스가 제시한 EV 해법은 기술 혁신이다. 제품을 잘 만들면 시장은 저절로 열린다는 게 이 사장의 판단이다. 지난해 이 회사는 메모리반도체 기업들의 주력 사업인 서버 D램 시장에서 처음으로 ‘세계 1위’ 타이틀을 거머쥐었다. 스마트폰 등에 들어가는 보통 D램보다 20% 이상의 프리미엄이 붙어 팔리기 때문에 ‘효자 제품’으로 꼽힌다. 고부가가치 D램 솔루션인 HBM2E 시장에서도 SK하이닉스가 1위를 달리고 있다.

SK하이닉스는 올 하반기 최근 양산을 시작한 DDR5 D램 공급을 확대해 승기를 이어갈 계획이다. 전송 속도가 기존 DDR4(3200Mbps) 제품보다 최대 1.8배 빠른 것이 DDR5 제품의 특징이다. 동작 전압이 1.2V에서 1.1V로 낮아져 전기도 덜 먹는다.

미세공정 혁신에도 공을 들이고 있다. 이 회사는 지난해 하반기부터 2020년 하반기부터 3세대 10나노급(1z) D램 제품 양산에 들어갔다. 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 HBM3 등의 제품에도 순차적으로 1z 미세공정 기술을 적용할 계획이다. 작년 말 준공된 이천 M16 팹에 들어선 EUV(극자외선) 클린룸도 본격적으로 가동한다. 올해 안에 EUV를 활용한 1A㎚(10나노 4세대) D램을 생산하는 것이 목표다. EUV 장비를 활용하면 기존 방비를 썼을 때보다 반도체 회로를 미세하게 그릴 수 있다.

낸드플래시는 모바일 수요 대응을 강화하는 동시에 2020년 3분기부터 본격적으로 시장에 내놓은 128단 기반 제품 비중을 확대해 수익성을 개선한다는 전략을 세웠다. 인텔 낸드플래시 사업부 인수합병(M&A)을 성공적으로 마무리하는 것도 올 하반기의 과제 중 하나다. SK하이닉스는 지난해 10월 90억달러(약 10조1500억원)에 인텔 낸드 사업을 인수하는 계약을 맺은 뒤 주요 8개국에서 반독점 심사를 받아왔다.

송형석 기자 click@hankyung.com