호서대는 배병성(전자융합공학부) 교수팀이 반도체와 디스플레이산업 최신 기술인 계면 산화막을 절연막으로 사용하는 수직구조 트랜지스터를 세계 최초로 개발했다고 28일 밝혔다. 호서대에 따르면 이번 기술을 이용하면 별도의 진공증착 없이 산소 분위기에서 열처리를 진행, 트랜지스터 구조의 절연층을 형성해 저전압 구동이 가능한 수직 구조의 트랜지스터를 형성할 수 있다.
저전압 저전력의 신규 소자 구조 개발을 했다는 데 이번 연구의 의미가 있다고 연구팀은 설명했다.
'계면산화를 이용한 수직구조 박막트랜지스터'라는 제목의 이 연구는 세계적인 과학 저널 네이처의 자매지 '사이언티픽 리포트' 온라인판에 지난 23일 게재됐다.
배병성 교수는 "이 연구는 트랜지스터의 게이트 절연막을 형성하는 방법으로 기존 화학기상증착기(CVD)를 사용하지 않고 반도체 재료와 금속과의 경계면에서의 반응을 이용해 산소 분위기에서의 열처리로 얇은 산화막을 형성한 것"이라고 밝혔다.
연구팀은 앞으로 연구개발 된 트랜지스터의 성능을 향상하고 신뢰성을 높여 안정된 저전력 소자로 발전시킬 예정이다.