이재용, 달려간 이유 있었네…TSMC도 'ASML 차세대장비' 확보

"2024년 하이 뉴메리컬어퍼처(NA) EUV 도입"

TSMC 로고 [사진=TSMC 홈페이지 캡처]

글로벌 1위 파운드리(반도체 위탁생산) 대만 TSMC가 2024년에 네덜란드 반도체 장비업체 ASML의 차세대 극자외선(EUV) 노광장비 '하이 뉴메리컬어퍼처(NA) EUV'를 도입할 것이라고 밝혔다.

16일(현지시간) 로이터통신에 따르면 미국 실리콘밸리에서 열린 TSMC 기술 심포지엄에서 연구개발(R&D) 담당 미위제(YJ 미) 부사장은 이같이 밝혔다.

EUV 노광장비는 7㎚(나노미터=10억분의 1ｍ) 이하 초미세 반도체 공정 구현에 필수 장비로 전 세계에서 ASML이 독점 생산한다. 특히 '하이 NA EUV'는 현 시점에서 가장 최첨단인 차세대 EUV 노광장비다.

앞서 올 초 미국 인텔이 ASML의 양대 고객인 TSMC와 삼성전자보다 먼저 이 장비 도입 계약을 맺어 시장을 놀라게 했다. 당시 팻 겔싱어 인텔 CEO는 피터 베닝크 ASML CEO에 직접 전화를 걸어 지원을 요청한 것으로 알려졌다. 인텔은 2025년까지 이 장비를 통한 제품 생산에 나설 방침이다.

ASML 장비 확보를 놓고 인텔·TSMC와 치열한 경쟁을 벌이는 입장인 삼성전자의 경우 아직 해당 장비 도입 여부가 공식적으로 밝혀진 바 없다.

이재용 삼성전자 부회장이 14일(현지시간) 네덜란드 에인트호번에 위치한 ASML 본사에서 피터 베닝크(Peter Wennink) ASML CEO와 협력 방안을 논의했다. [사진=삼성전자 제공]

현재 유럽 출장 중인 이재용 삼성전자 부회장은 ASML 본사를 방문해 해당 장비를 직접 본 것으로 알려졌다. 하이 NA EUV는 한 대당 가격이 무려 5000억원을 넘는 것으로 알려졌지만 한해 생산량이 제한돼 글로벌 기업간 수주 경쟁이 치열할 것으로 전망된다. 이 부회장이 직접 발벗고 하이 NA 기술을 확인하면서 향후 기술 도입에 대한 논의 방향이 주목된다.

미위제 부사장은 하이 NA EUV를 이용한 반도체 양산 시기는 밝히지 않았다. TSMC의 비즈니스 개발 선임부사장인 케빈 장은 2024년에는 하이 NA EUV를 양산에 투입할 준비가 돼 있지는 않을 것이라면서 주로 협력사들과 양산 준비 연구에 사용할 것이라고 말했다.

반도체 컨설팅업체 테크인사이트의 댄 허치슨 칩 이코노미스트는 "하이 NA EUV는 반도체 기술을 선도하는 차세대 주요 혁신 기술"이라면서 TSMC가 이를 2024년에 확보했다고 밝힌 데 대해 "가장 앞선 기술을 더 빨리 얻게 됐다"고 분석했다.

TSMC는 심포지엄에서 2025년 양산을 목표로 하는 2나노 공정 기술에 관해 설명했다. TSMC는 15년간 개발한 종이처럼 얇고 긴 모양의 '나노시트'(Nano Sheet) 트랜지스터 기술을 2나노 공정에 최초 적용해 반도체 작동 속도와 전력 효율성을 높일 계획이다.

강경주 한경닷컴 기자 qurasoha@hankyung.com