25일 오전 경기도 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 '세계 최초 GAA 기반 3나노 양산 출하식'에서 (오른쪽부터) DX부문 경영지원실장 박학규 사장, DS부문장 경계현 대표이사, 이창양 산업통상자원부장관, DS부문 파운드리사업부장 최시영 사장 등 참석자들이 박수치고 있다.
25일 오전 경기도 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 '세계 최초 GAA 기반 3나노 양산 출하식'에서 관계자들이 3나노 웨이퍼를 차량으로 옮기고 있다. 3나노 공정은 회로 간격이 미세할수록 성능이 높아지는 반도체 제조 공정 중 가장 앞선 기술로 꼽힌다. 삼성전자에 따르면 3나노 공정 생산 제품(1세대 기준)은 기존 5나노 공정 제품보다 전력이 45% 절감되고 성능은 23% 향상되며 면적은 16% 축소된다.
경계현 삼성전자 DS부문장 대표이사와 이창양 산업통상자원부 장관 등 참석자들이 25일 오전 경기도 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 '세계 최초 GAA 기반 3나노 양산 출하식'에서 기념 촬영을 하고 있다.