SK하이닉스, 세계 최고층 321단 낸드 쌓았다…2025년 양산
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'FMS 2023'서 공개…300단 이상 낸드로는 세계 최초
"AI 시대가 요구하는 고성능 낸드 개발 지속 혁신할 것"
SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit, FMS) 2023'에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했다.낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체로, 셀을 수직으로 쌓아 올려 데이터 용량을 늘리는 적층 기술이 경쟁력의 핵심이다.
메모리 업계에서 300단 이상 낸드의 구체적인 개발 경과를 공개한 것은 SK하이닉스가 처음이다. 회사는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산하겠다는 계획을 밝혔다.
SK하이닉스 관계자는 "양산중인 현존 최고층 238단 낸드를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행하고 있다"며 "적층 한계를 다시 한번 돌파해 SK하이닉스가 300단대 낸드 시대를 열고 시장을 주도할 것"이라고 강조했다.321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512Gb(기가비트) 대비 생산성이 59% 높아졌다. 데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 적층, 한 개의 칩으로 더 큰 용량을 구현할 수 있어 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 전체 용량이 늘었기 때문이다.
회사는 이 제품들이 업계 최고 수준의 성능을 확보해 고성능을 강조하는 요구를 충분히 충족시킬 것으로 기대했다. 이어 이번 제품들을 통해 진일보한 회사의 자체 솔루션 개발 기술력을 바탕으로 다음 세대인 PCIe 6세대와 UFS 5.0 개발에 착수한 사실을 알리며, 업계 기술 트렌드를 선도하겠다는 의지를 밝혔다. 최정달 SK하이닉스 부사장(NAND개발담당)은 행사 기조연설에서 “당사는 4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술리더십을 공고히 할 계획”이라며 “AI 시대가 요구하는 고성능, 고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다”고 말했다.
조아라 한경닷컴 기자 rrang123@hankyung.com