[특징주]코스텍시스, 삼성전자 질화갈륨 신소재 진출...정부 과제 참여 부각 '강세'

코스텍시스의 주가가 강세다. 삼성전자가 질화갈륨(GaN) 소재의 전력반도체 사업 진출에 본격적으로 나섰다는 소식에 영향을 받은 것으로 보인다. 코스텍시스는 산업통상자원부 소재부품기술개발 사업 과제에 공동연구개발 기관으로 선정된 바 있다. 정부 과제명은 ‘초고주파 GaN MMIC(마이크로파 직접회로) 전용 패키지 개발 및 패키징 후공정 개발’이다.

18일 13시 11분 코스텍시스는 전일 대비 5.39% 상승한 3,130원에 거래 중이다.

반도체 업계가 그동안 주요 원료로 써오던 실리콘(Si)·게르마늄(Ge)의 한계를 극복할 화합물 신소재 개발에 집중하고 있다.

반도체 업계에 따르면 최근 삼성전자 반도체(DS)부문은 반도체 재료에 대한 분석 경험을 가진 장치물리학을 전공한 인력을 채용 중이다. 장치물리학은 실리콘·갈륨·게르마늄 등 전자적 특성에 의존하는 물질에 대해 주로 연구하는 분야다.

삼성전자는 화합물 반도체 파운드리(반도체 위탁생산) 시장 진출을 선언한 바 있다. 최근 열린 ‘삼성 파운드리 포럼 2023’에서 “2025년부터 화합물 반도체의 일종인 질화갈륨(GaN) 전력 반도체(파워 반도체)의 컨슈머·데이터센터·오토모티브용 8인치 제품 파운드리 서비스를 시작한다”고 밝혔다. 올해초 사내에 전력 반도체 태스크포스(TF)를 신설하고 화합물 기반 전력 반도체의 설계와 생산공정 등 사업화 가능성을 검토해왔다.

한편 코스텍시스는 산업통상자원부 소재부품기술개발사업 과제에 공동연구개발 기관으로 선정된 바 있다. 정부 과제명은 ‘초고주파 GaN MMIC(마이크로파 직접회로) 전용 패키지 개발 및 패키징 후공정 개발’이다. 코스텍시스가 담당하는 부분은 초고주파 저손실, 고방열, 점검기능 경로제공 GaN MMIC 전용 패키지 개발과 전력 소자에서 발생한 열을 외부로 방출이 용이하게 하는 열설계 구현이다.

김광수 한경닷컴 객원기자 open@hankyung.com