삼성보다 빨리…TSMC "2026년 하반기 1.6나노 공정 시작"

초미세공정 1나노 상용화 두고
삼성·인텔과 치열한 3파전

세계 최대 파운드리 업체 TSMC가 2026년 하반기부터 1.6나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 공정을 도입한다고 밝혔다. 초미세 공정 경쟁에서 삼성전자를 따돌리겠다는 의미다. 파운드리 업계의 최신 공정은 3나노다.

TSMC는 25일 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 연 기술 콘퍼런스에서 “새로운 칩 제조 기술인 ‘A16’을 활용한 제품을 2026년 하반기부터 생산한다”고 발표했다. A16 기술은 1.6나노 공정을 의미한다. 앞서 TSMC는 내년 2나노 공정, 2027년 1.4나노 공정으로 양산하겠다는 계획을 밝혔다. 개발 속도로 보면 삼성전자와 똑같다. 두 회사는 지난해 3나노 양산에 성공했다. 2021년 파운드리 사업에 재진출한 인텔은 2~3나노를 건너뛰고 올해 말부터 1.8나노 공정에 착수한다고 밝혔다.

1나노 공정 상용화를 앞두고 파운드리 3사는 치열한 주도권 싸움을 벌이고 있다. 인텔은 지난주 네덜란드 ASML의 차세대 노광장비(EUV)를 설치했다고 밝혔다. 이 장비는 2나노 이하 초미세 회로를 그리는 데 필수적인 장비다.

삼성전자는 2나노가 TSMC와의 격차를 줄이는 터닝포인트가 될 것으로 기대하고 있다. 차세대 공정 기술로 꼽히는 게이트올어라운드(GAA)에서 앞서가고 있기 때문이다. 삼성전자는 3나노 공정부터 GAA 공법을 도입했다. 경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문장은 지난해 “삼성의 파운드리 기술력이 TSMC에 1~2년 뒤처져 있지만, TSMC가 2나노 공정에 들어오는 시점을 계기로 5년 내 앞설 수 있다”고 했다.

박의명 기자 uimyung@hankyung.com