"글로벌 AI 반도체 거점 구축"…SK하이닉스, 9.4조원 투자

SK하이닉스, 용인 반도체 클러스터 추진
이사회서 약 9조4000억원 팹 투자 결의

SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 조감도. 사진=SK하이닉스 제공

SK하이닉스가 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹과 업무시설을 건설하는 데 약 9조4000억원을 투자하기로 했다.

SK하이닉스는 26일 "기존에 정해진 일정대로 용인 클러스터에 들어설 첫 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월에 준공할 계획으로 이에 앞서 이사회의 투자 의사결정을 받은 것"이라며 "회사의 미래 성장 기반을 다지고, 급증하고 있는 AI 메모리 반도체 수요에 적기 대응하기 위해 팹 건설에 만전을 기하겠다"고 밝혔다.

용인 클러스터는 경기 용인 원삼면 일대 415만㎡ 규모 부지에 조성된다. 현재 부지 정지(整地)·인프라 구축 작업이 진행 중이다. SK하이닉스는 이곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개를 짓고 국내·외 소부장 기업 50여곳과 함께 반도체 협력단치를 구축할 계획이다.

SK하이닉스는 첫 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공하기로 했다. 용인 클러스터를 '글로벌 인공지능(AI) 반도체 생산 거점'으로 성장시키겠다는 것.

이번에 승인된 투자액엔 1기 팹과 부대시설, 업무지원동, 복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설비용이 모두 포함됐다. 투자 기간은 팹 건설을 준비하기 위한 설계기간과 2028년 하반기 준공 예정인 업무지원동 등을 고려해 다음 달부터 2028년 말까지로 정했다.

SK하이닉스는 용인 첫 번째 팹에서 대표적인 AI 메모리인 HBM을 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이다. 완공 시점엔 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다.

또 국내 소부장 중소기업들의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 '미니팹'을 1기 팹 내부에 구축한다. 미니팹은 반도체 소재·부품·장비 등을 실증하기 위해 300mm 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설을 말한다.

김영식 SK하이닉스 제조기술담당(부사장)은 "용인 클러스터는 SK하이닉스의 중장기 성장 기반이자 협력사들과 함께 만들어 가는 혁신과 상생의 장(場)이 될 것"이라며 "대규모 산단 구축을 성공적으로 완수, 대한민국 반도체 기술력과 생태계 경쟁력을 획기적으로 높여 국가경제 활성화에 기여하고자 한다"고 말했다.
김대영 한경닷컴 기자 kdy@hankyung.com