삼성전자·하이닉스 반도체 기술 유출…최진석 씨 구속

사진=신민경 기자

삼성전자와 하이닉스반도체(현 SK하이닉스) 임원을 지낸 최진석 씨(66)가 기술유출 혐의로 구속됐다.

6일 법조계에 따르면 서울중앙지법 김미경 영장전담 부장판사는 지난 5일 부정경쟁방지 및 영업비밀보호에 관한 법률 위반 혐의를 받는 최씨와 전직 삼성전자 수석연구원 오모씨에 대한 구속 전 피의자 심문(영장실질심사)을 열고 "도망 염려가 있다"며 구속했다.

이들은 삼성전자의 반도체 독자 기술을 중국 청두가오전에 유출한 혐의를 받는다. 20나노급 D램 반도체를 생산하는 데 필요한 온도, 압력 등 공정과 관련한 핵심 정보를 넘긴 것으로 전해졌다.

최씨는 삼성전자 상무, 하이닉스 부사장을 지낸 인물로, 지난 2021년 청두시로부터 투자를 받아 청두가오전을 설립한 바 있다. 그는 삼성전자 반도체 공장 설계도를 빼내 중국에 '삼성전자 복제공장' 설립을 시도한 혐의로 지난해 6월 구속기소 되기도 했다.

경찰은 지난 1월 삼성전자 수석연구원을 지낸 오씨에 대해 삼성전자가 독자적으로 개발한 D램 20나노 기술을 청두가오전에 넘긴 혐의로 영장을 신청했지만, 법원에서 기각됐다.

이후 경찰은 보완수사를 거친 후 지난 2일 서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 안동건)를 통해 오씨에 대한 구속영장을 다시 신청했다. 이때 최씨에 대한 구속영장도 함께 신청했다. 검찰은 범행의 중대성과 피해 규모를 고려해 영장실질심사에도 검찰이 직접 출석해 범죄 혐의를 소명한 것으로 전해졌다.

권용훈 기자 fact@hankyung.com