삼성전자 '쇼크'에 비명…"SK하이닉스는 다르다" 선 그은 이유 [종목+]

삼성전자 3분기 영업익 9.1조…컨센서스 15% 밑돌아
반도체 장비주도 일제히 '하락'

현대차증권 "반도체 겨울 아닌 삼성전자의 겨울"
삼성전자의 '어닝 쇼크(실적 충격)'로 반도체주 투자심리가 얼어붙었다. 그러나 증권가 일각에선 어닝 쇼크와 반도체 업황의 연관성에 선을 긋고 나섰다. 삼성전자의 경쟁력 문제일 뿐, 반도체 업황은 뜨거울 것이란 의견이다. 실적 발표를 앞둔 SK하이닉스는 고대역폭메모리(HBM)에 힘입어 3분기 역대 최대 수준의 분기 영업이익이 담긴 성적표를 내놓을 것이란 관측이다.

9일 한국거래소에 따르면 지난 8일 SK하이닉스는 전날보다 3.73% 하락했고, 삼성전자도 1.15% 하락하며 6만원선을 겨우 지켰다. 한미반도체(-3.07%), 테크윙(-2.73%), 하나마이크론(-2.7%), 제우스(-2.16%) 등 반도체 장비주도 대부분 약세를 보였다. 외국인 투자자는 유가증권시장에서 전기·전자 업종 종목을 5030억원어치 순매도하며 하락세를 이끌었다.삼성전자의 3분기 잠정실적이 증권가 예상보다 부진하자 반도체주에 대한 투자심리가 위축된 것으로 풀이된다. 삼성전자의 3분기 잠정 매출은 79조원, 영업이익은 9조1000억원으로 집계됐다. 직전 분기 대비 매출액은 6.66% 늘었지만, 영업이익은 12.84% 줄었다. 특히 영업이익은 증권가 추정치를 약 15% 밑돌았다. 증권가에선 최근 삼성전자 영업이익 전망치를 낮춰왔는데, 하향 조정된 눈높이에도 부합하지 못한 셈이다.

부진한 실적에 경영진은 이례적으로 고개를 숙였다. 삼성전자 반도체 사업을 이끄는 전영현 DS부문장(부회장)은 입장문을 내고 "시장의 기대에 못 미치는 성과로 기술경쟁력과 회사 앞날에까지 걱정을 끼쳤다”며 "근원적 경쟁력 회복을 위해 철저히 준비하겠다"고 밝혔다.
SK하이닉스 CXL 2.0 메모리./사진=연합뉴스
지난달 글로벌 투자은행(IB) 모건스탠리는 '반도체 겨울론'을 거론했다. 삼성전자와 SK하이닉스의 목표주가도 대폭 하향 조정했다. 일각에선 삼성전자가 어닝 쇼크를 낸 탓에 반도체 위기론에 불이 붙을 것이란 의견을 내고 있다. 다만 국내 증권가에선 '반도체가 아닌 삼성전자의 겨울'이라며 선을 긋는 모습이다.현대차증권에 따르면 내년 전 세계 메모리 반도체와 파운드리(반도체 위탁생산) 시장 매출액은 각각 2176억달러, 1639억달러로 올해보다 각각 41%, 20% 증가해 사상 최고치를 경신할 전망이다.

노근창 현대차증권 리서치센터장은 전날 한국거래소에서 열린 간담회에서 "삼성전자가 업황을 못 쫓아가 실망스러운 상황이며 삼성전자의 문제를 반도체 전체의 문제로 확대해석하면 안 된다"며 "엔비디아 블랙웰 출시가 지연되며 겨울론이 제기됐지만, 블랙웰이 본격 출시되는 연말부터 SK하이닉스 주가는 반등할 수 있다"고 전망했다. 블랙웰은 엔비디아가 개발한 차세대 인공지능(AI) 칩이다.

증권가에선 SK하이닉스의 실적이 우상향할 것으로 본다. 금융정보업체 에프앤가이드에 따르면 SK하이닉스의 3분기 영업이익은 6조7559억원에 달할 것으로 예상된다. 증권가 예상에 부합한다면 SK하이닉스는 2018년 3분기 기록한 역대 분기 최고치(6조4274억원)를 돌파할 전망이다. SK하이닉스는 이달 말 3분기 실적을 발표할 계획이다.SK하이닉스가 갖춘 HBM 경쟁력도 차별 포인트로 꼽혔다. 현재 SK하이닉스는 엔비디아에 5세대 HBM(HBM3E)을 사실상 독점 공급하고 있다. 또 HBM인 주문 제작 방식으로 진행되기 때문에 공급 과잉에 대한 우려는 과하다고 강조했다.

노 센터장은 "과거 클라우드 성장기를 보면 아마존과 마이크로소프트가 투자 과잉을 이유로 주문을 줄이자 삼성전자, SK하이닉스가 타격을 입었고, 겨울이 찾아왔다"며 "하지만 AI 칩셋 시장에선 엔비디아가 절대적인 위치를 차지하고 있어 HBM의 가격도 유지될 것"이라고 전망했다.

이어 "D램을 12장 쌓는 12단 HBM을 만드는 공법에서도 SK하이닉스의 제작 방법에 대한 고객사들의 만족도가 높다. 당장은 삼성전자가 경쟁력 격차를 좁히기 힘들다"며 "D램을 붙이는 공법이 바뀌는 HBM4의 시대가 왔을 때 삼성전자의 추격을 기대해 볼 수 있다"고 말했다. 삼성전자는 HBM을 만들 때, 칩 사이에 비전도성 접착 필름(NCF)을 넣은 뒤 녹여 연결하는 'TC-NCF' 방식을 사용하는 반면 SK하이닉스는 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 한 번에 주입한 뒤 이를 굳혀 칩 간 연결을 강화하는 '매스 리플로우 몰디드 언더필'(MR-MUF)방식을 쓰고 있다.

진영기 한경닷컴 기자 young71@hankyung.com